BSP149 E6327參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：耗盡模式漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：660mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@660mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@400µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：430pF@25V功率-最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4
